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在現代集成電路制造中，離子植入是一項非常重要的技術(shù)，其基本原理是：用能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用，入射離子逐漸損失能量，停留在材料中，并引起材料表面成分、結構和性能發(fā)生變化，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。

由于在離子源轉換為電漿離子時(shí)，會(huì )產(chǎn)生2000℃以上的工作溫度，離子束噴發(fā)時(shí)，也會(huì )產(chǎn)生很大的離子動(dòng)能，一般金屬會(huì )很快燒熔，因此需要質(zhì)量密度較大的惰性金屬，以維持離子束噴發(fā)方向，并增加組件耐用度，鎢鉬是必選材料。由于鎢鉬材料高溫化學(xué)性質(zhì)穩定、熱變形小和使用壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)，因此半導體行業(yè)離子注入機離子源件及耗件多采用鎢、鉬材料制造，這些器件包括發(fā)射電子陰極的屏蔽筒、弧光室，燈絲夾等。

與傳統鎢鉬材料相比，離子植入用鎢鉬材料密度更高，晶粒更細，耐高溫及抗蠕變性能更強。